Diodes Incorporated의 초저 VCE(sat) NPN 및 PNP 바이폴라 트랜지스터, 컴팩트 자동차 설계에서 전력 밀도 및 효율 극대화

Diodes Incorporated, 자동차용 반도체 시장 공략 강화 Diodes Incorporated(Nasdaq: DIOD)가 자동차 산업의 엄격한 요구사항을 충족하는 새로운 양극성 트랜지스터 시리즈 DXTN/P 78Q 및 80Q를 출시하며 자동차용 반도체 포트폴리오를 확장했습니다. 이들 신제품은 업계 최고 수준의 전도 효율과 열 성능을 제공하여 자동차 전력 스위칭 및 제어 애플리케이션에 최적화되었습니다. 새롭게 선보이는 12가지 고성능 디바이스는 12V, 24V, 48V 자동차 시스템에 모두 적용 가능한 폭넓은 전압 범위를 지원합니다. MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이빙, 전력 라인 및 부하 스위칭, 저전압 강하(LDO) 전압 조정, DC-DC 컨버터, 모터, 솔레노이드, 릴레이, 액추에이터 구동 등 다양한 용도로 활용될 수 있습니다. 특히 +175°C의 연속 동작 온도와 높은 ESD 내성(HBM 4kV, CDM 1kV)을 갖춰 열악한 자동차 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이들 디바이스는 3.3mm x 3.3mm의 초소형 PowerDI®3333-8 패키지에 탑재되어 기존 SOT223 패키지 대비 PCB 공간을 최대 75%까지 절감할 수 있습니다. 이를 통해 추가적인 기능 구현을 위한 공간 확보가 가능해집니다. 또한, 하단부에 위치한 대형 히트싱크는 4.2°C/W의 매우 낮은 열 저항(RθJL)을 제공합니다. 측면 도금(SWP) 기능은 자동 광학 검사(AOI)의 가시성을 높이고 솔더 조인트 강도를 강화하여 품질 보증을 향상시키고 수동 검사를 줄여 효율적이고 안정적인 제조를 지원합니다. DXTN/P 78Q 및 80Q 시리즈는 모두 30V에서 100V까지의 BVCEOratings를 제공하며 강력한 전류 처리 능력을 자랑합니다. 특히 DXTN/P 80Q 시리즈는 최대 10A의 연속 정격 전류와 20A의 피크 펄스 전류 용량을 제공하여 더욱 까다로운 설계에 대한 여유를 제공합니다. 1A에서 단 17mV에 불과한 초저 포화 전압(VCE(sat))과 최대 12mΩ의 온 상태 저항은 전도 손실을 최소화하여 더 낮은 온도에서의 작동과 높은 효율을 가능하게 합니다. 이를 통해 이전 세대 대비 전도 손실을 최대 50%까지 줄여 발열을 감소시키고 열 관리를 용이하게 합니다. DXTN/P 78Q 시리즈는 6,000개 수량 기준으로 개당 $0.19에서 $0.21 사이에, DXTN/P 80Q 시리즈는 개당 $0.20에서 $0.22 사이에 구매 가능합니다. 산업 및 상업용 애플리케이션에 적합한 표준 규격 버전인 DXTN/P 78 및 80 시리즈도 함께 제공됩니다. Diodes Incorporated는 스탠더드 앤 푸어스(Standard & Poor’s) SmallCap 600 및 러셀 3000(Russell 3000) 지수 편입 기업으로, 자동차, 산업, 컴퓨팅, 소비자 가전, 통신 시장의 세계 유수 기업들에게 고품질 반도체 제품을 공급하고 있습니다. 아날로그 및 개별 전력 솔루션의 확장된 제품 포트폴리오와 최첨단 패키징 기술을 활용하여 고객의 요구를 충족시키고 있습니다. 광범위한 애플리케이션별 제품과 솔루션 중심의 영업, 그리고 엔지니어링, 테스트, 제조, 고객 서비스를 포함한 글로벌 운영을 통해 고성장, 고용량 시장을 위한 선도적인 공급업체로서의 입지를 다지고 있습니다. *자동차 규격 준수: AEC 인증, IATF 16949 인증 시설에서 제조, PPAP 문서 지원.