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Navitas, 2026년 1월 14일 Needham Growth Conference에서 발표 예정

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AI 요약 · 핵심 3줄

  • Navitas Semiconductor는 2026년 1월 14일 열리는 제28회 연례 Needham Growth Conference에 참가하여 CEO가 화상 대담을 진행할 예정입니다.
  • 이는 투자자들에게 회사의 차세대 GaN 및 SiC 전력 반도체 기술과 AI 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 주요 성장 분야에서의 혁신을 소개할 기회가 될 것입니다.

Navitas Semiconductor, 차세대 전력 반도체 선도 기업, Needham Growth Conference 참가

[로스앤젤레스] 차세대 질화갈륨(GaN) 및 탄화규소(SiC) 전력 반도체 분야의 선두 주자인 Navitas Semiconductor가 오는 1월 14일 수요일, 뉴욕 롯데 팰리스 호텔에서 개최되는 제28회 연례 Needham Growth Conference에 참가한다고 밝혔습니다.

Chris Allexandre Navitas 사장 겸 CEO는 1월 14일 수요일 오후 2시 15분(미국 동부 표준시)에 진행되는 파이어사이드 챗(Fireside Chat)에 참석하며, 행사 당일 참석 투자자들과의 미팅도 진행할 예정입니다.

이번 파이어사이드 챗은 Navitas 공식 투자자 관계 웹사이트의 'Events' 섹션에서 라이브 및 아카이브 오디오 웹캐스트로 제공될 예정입니다. 포트폴리오 매니저 및 분석가 중 경영진과의 미팅을 희망하는 경우, Needham & Company 담당자에게 문의하면 됩니다.

Navitas Semiconductor(Nasdaq: NVTS)는 질화갈륨(GaN) 및 통합 회로(IC) 디바이스, 고전압 탄화규소(SiC) 기술 분야의 차세대 전력 반도체 선도 기업으로, AI 데이터 센터, 고성능 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전력화 분야 전반에 걸쳐 혁신을 주도하고 있습니다. 30년 이상의 광대역 갭(Wide Bandgap) 기술 전문성을 바탕으로 개발된 GaNFast™ 전력 IC는 GaN 전력, 드라이브, 제어, 센싱 및 보호 기능을 통합하여 더 빠른 전력 전달, 더 높은 시스템 밀도, 더 큰 효율성을 제공합니다. 또한, GeneSiC™ 고전압 SiC 디바이스는 특허받은 트렌치 보조 평면 기술을 활용하여 중전압 그리드 및 인프라 애플리케이션에 업계 최고 수준의 전압 성능, 효율성 및 신뢰성을 제공합니다. Navitas는 현재 300개 이상의 특허를 보유하고 있으며, 세계 최초로 CarbonNeutral® 인증을 받은 반도체 기업입니다.

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주요 사실

  • Needham Growth Conference 참여 및 경영진 발표
  • 차세대 GaN 및 SiC 전력 반도체 기술 리더십 강조
  • AI 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 성장 분야에서의 혁신 추진
AI 분석 근거근거 충분성: 충분

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  • •주요 사실 — Needham Growth Conference 참여 및 경영진 발표
  • •주요 사실 — 차세대 GaN 및 SiC 전력 반도체 기술 리더십 강조
  • •주요 사실 — AI 데이터센터, 고성능 컴퓨팅 등 성장 분야에서의 혁신 추진

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  • “Needham Growth Conference
  • “GaNFast
  • “GeneSiC

참고 문맥

Navitas Semiconductor, 차세대 전력 반도체 선도 기업, Needham Growth Conference 참가 [로스앤젤레스] 차세대 질화갈륨(GaN) 및 탄화규소(SiC) 전력 반도체 분야의 선두 주자인 Navitas Semiconductor가 오는 1월 14일 수요일, 뉴욕 롯데 팰리스 호텔에서 개최되는 제28회 연례 Needham Growth Conference에 참가한다…

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